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2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
A Microchip Technology Company
SST12LP15
Not Recommended for New Designs
1000pF
1000 pF
0.1 μ F
4.7 μ F
Vcc
12nH/0805
1
16
15
14
13
12
50 Ω /150mil
2
11
50 Ω /140mil
47pF 50 Ω RFOUT
50 Ω RFin
3
4
Bias circuit
10
9
2.4pF
5
6
7
8
Suggested operation conditions:
1 V CC = 3.3V
2. Center slug to RF ground
0.1 μ F
100pF
R1 110* Ω
VREG1
100pF
R2 270* Ω
VREG2
10pF
Det_ref
Det
10pF
3. VREG1=VREG2=2.8V with
R1=110 Ω and R2=270 Ω
1277 Schematic.0.1
Figure 12: Typical Schematic for High-Power, High-Efficiency 802.11b/g Applications
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
13
DS75030A
10/11
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